Laminati rivestiti in rame in tessuto di vetro intrecciato in teflon F4B-N e F4B-T
Introduzione a F4B-N e F4B-T
I laminati rivestiti in rame con tessuto di vetro intrecciato in Teflon F4B-N e F4B-T sono materiali essenziali per la produzione di laminati rivestiti in rame con tessuto di vetro intrecciato in Teflon. Il processo produttivo prevede il trattamento per immersione della resina Teflon su tessuto di vetro esente da alcali, seguita dall'essiccazione, cottura al forno, e sinterizzazione per formulare il materiale per microonde. Questi prodotti sono caratterizzati da resistenza al calore, isolamento, bassa perdita, ottime prestazioni elettriche, e proprietà di non adesione. Sono ampiamente utilizzati in vari settori, inclusa l'elettronica, motori, Aviazione, tessili, prodotti chimici, e cibo. Nei dispositivi a microonde, servono come pellicole leganti per circuiti stampati multistrato.
Tipi di materiali F4B-N e F4B-T
- Tessuto di vetro intrecciato in teflon antiaderente: F4B-N
- Tessuto di vetro intrecciato in teflon ventilato: F4B-T
Specifiche tecniche di F4B-N e F4B-T
Aspetto
La superficie è liscia e pulita con scarico uniforme della colla e nessun danno meccanico.
Dimensioni (mm)
- Lunghezza: A=100~200mm
- Larghezza: B=900~4000 mm
- Spessore:
- F4B-N: 0.08, 0.10, 0.15, 0.40 mm
- F4B-T: 0.04, 0.07 mm
- Tolleranza:
- ±0,01 mm per F4B-N
- ±0,015 mm per F4B-T
- ±0,02 mm per F4B-N
- ±0,04 mm per F4B-T
- ±0,004 mm per F4B-N
- ±0,005 mm per F4B-T
Meccanico, Chimico, e proprietà elettriche
| Nome | Condizione di prova | Unità | Valore |
|---|---|---|---|
| Resistenza alla trazione | Macchina di trazione | N(± 5%) | 8 |
| Temperatura operativa | Nel Forno | gradi Celsius | 250°C a lungo termine, 300°C discontinuo |
| Proprietà chimiche | Immergere nell'acido, Alcali e sale | Tutto inerte | |
| Coefficiente di resistenza superficiale | Temperatura normale | OH | ≥10^12 |
| Coefficiente di resistenza del volume | Temperatura normale | Oh cm | ≥1*10^13 |
| Tensione di rottura | Vari Spessori | KV | Da ≥0,6 a ≥1,5 |
| Costante dielettrica | 1GHz | εr | 2.7± 0,1 |
| Fattore di dissipazione | 1GHz | Tgside | ≤2×10^-4 |
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