Проектирование печатных плат, ПХБ производство, Сборка печатной платы, ПЭЦВД, и выбор компонентов с универсальной службой

Скачать | О | Контакт | Карта сайта

PANASONIC MEGTRON4 Ламинат R-5725 Препрег R-5620

Panasonic 4smegtron 4/4s: Высокопроизводительное решение для применений с низким DK и высоким TG

Panasonic 4smegtron 4/4S предназначено для применений с низким DK и высоким TG, специально для сетевого оборудования, сервер, маршрутизаторы и измерительные инструменты. Основные атрибуты Megtron 4/4s: низкая диэлектрическая постоянная и коэффициент диэлектрического рассеяния (Dk = 3.8 и df = .005 @ 1 ГГц), Без свинца паяль ROHS, и высокая теплостойкость.

Megtron 4S - улучшенная версия Megtron 4 с более высоким Tg, Подходит для циклов с несколькими ламинами и гибридными сборками. Megtron 4/4S соответствует спецификации IPC 4101 /91 /102.

Номера деталей

R-5725 / R-5725S Ламинат
R-5620 / R-5620S PREPREG

Функции

Низкий DK = 3.8, Низкий df = 0.005 (@ 1 ГГц)
Низкая потеря передачи меньше, чем 50% обычного FR-4
Отлично через надежность отверстия 10 раз лучше, чем наш обычный высокий TG FR-4 (Т/с)
Без свинца, ROHS-совместимость пайки
Высокая термостойкость

Методы испытаний для Megtron 4s и Megtron 4

Megtron 4S - метод испытаний, используемый для TG: ДСК; DK и DF @ 1 ГГц

ТРОН МЕНЯ 4 - Метод испытаний, используемый для TG: ДСК; DK и DF @ 1 ГГц

Общие свойства

Элемент Метод испытаний Состояние Единица Мегтрон4 R-5725 Megtron4s R-5725S
Стеклянный переход температура.(Тг) ДСК А °С 176 200
Термическое разложение темп.(Тд) ТГА А °С 360 360
CTE x-ось А1 ИПК-ТМ-650 2.4.24 А ppm/° C. 12-14 12-14
Cte y-ось 13-15 13-15
КТР по оси Z А1 ИПК-ТМ-650 2.4.24 А 35 32
A2 265 250
T288(с медью) ИПК-ТМ-650 2.4.24.1 А мин 30 50
Диэлектрическая проницаемость(Дк) 10ГГц ИПК-ТМ-650 2.5.5.5 C-24/23/50 3.8 3.8
Коэффициент рассеяния(Дф) 0.007 0.007
Водопоглощение ИПК-ТМ-650 2.6.2.1 D-24/23 % 0.14 0.14
Модуль изгиба Наполнять Jis c 6481 А Средний балл 23 23
Сила кожура* 1унция(35мкм) ИПК-ТМ-650 2.4.8 А кн/м 1.1 1.3

Предыдущий:

Следующий:

Оставить ответ

Оставить сообщение