การออกแบบพีซีบี, การผลิต PCB, การประกอบ PCB, พีอีซีวีดี, และการเลือกส่วนประกอบด้วยบริการแบบครบวงจร

ดาวน์โหลด | เกี่ยวกับ | ติดต่อ | แผนผังเว็บไซต์

Microwave dielectric copper-clad substrate TP-1/2

Microwave Circuit Design Advantages Using TP-1/2

Stable Dielectric Constant and Operating Temperature

The dielectric constant of TP-1/2 is stable and can be customized within the range of 3.0 ถึง 22.0, depending on the specific requirements of the circuit design. The operating temperature ranges from -100 degrees Celsius to +150 degrees Celsius.

Reliable Peel Strength and Lower Manufacturing Costs

TP-1/2 offers a more reliable peel strength between copper and the substrate compared to vacuum film coating on ceramic substrates. This makes it easier for customers to process circuits with higher pass rates and significantly lower manufacturing costs than ceramic substrates.

Low Dissipation Factor and Mechanical Manufacturability

TP-1/2 has a dissipation factor (tgδ) of ≤1*10^-3, with minimal variation as frequency increases. It is also easily machinable through processes such as drilling, punching, grinding, cutting, and etching, which are not possible with ceramic substrates.

Technical Specifications of TP-1/2

รูปร่าง

Smooth and neat on both sides: no stains, scratches, or dents.

Dimension and Tolerance

  • Dimensions (A*B in mm): 120100, 150150, 160160, 180180, 200200, 170240
  • Tolerance: -2
  • Thickness and Tolerance: 0.8±0.05, 1.0±0.05, 1.2±0.05, 1.5±0.06, 2.0±0.075, 3.0±0.10, 4.0±0.10, 5.0±0.12, 6.0±0.12, 10.0±0.2
  • Customized Lamination: Available for special dimensions.

Mechanical Strength

  • ความแข็งแรงของเปลือก:
    • Normal state: ≥6N/cm
    • In alternating humidity and temperature: ≥4 N/cm

Chemical Property

The chemical etching method used for PCB can be applied without altering the dielectric properties of the materials.

Electrical Property

ชื่อ Test Condition หน่วย Value
Density Normal state g/cm³ 1.0~2.9
การดูดซับความชื้น Dip in distilled water at 20±2°C for 24 ชั่วโมง % ≤0.02
Operating Temperature High-low temperature chamber องศาเซลเซียส -100~+150
การนำความร้อน -55~288°C W/m/k 0.6
ซีทีอี Temperature rise of 96°C per hour ppm/° C ≤6*10^-5
Shrinkage Factor 2 hours in boiling water % 0.0004
ความต้านทานพื้นผิว 500V DC, normal state ≥1*10^7
ความต้านทานระดับเสียง Normal state MΩ·cm ≥1*10^9
Pin Resistance 500V DC, normal state ≥1*10^6
Surface Dielectric Strength Normal state Kv/mm ≥1.5
ค่าคงที่ไดอิเล็กตริก 10GHZ εr 3,6,9.6,10.2,10.5,11,16,20,22(±2%) (customizable)
Dissipation Factor 10GHZ Tgδ(εr 3-11) ≤1*10^-3
Dissipation Factor Tgδ(εr 12-22) ≤1.5*10^-3

ก่อนหน้า:

ต่อไป:

ทิ้งคำตอบไว้

ฝากข้อความ